DMN2011UFX-7 Diodes Incorporated Array FET MOSFET

Produttore: Diodes Incorporated
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET: -
Tensione di scarico-sorgente (Vdss): 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C: 12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Carica di gate (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds: 2248pF @ 10V
Potenza - Max: 2.1W
Temperatura di esercizio: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 4-VFDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore: V-DFN2050-4
Numero di prodotto di base: DMN2011