PBSS5612PA,115 NXP Semiconductors Transistor bipolari singoli

Produttore: NXP Semiconductors
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 6 A
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 12 V
Saturazione Vce (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 6A
Corrente - Taglio del collettore (max): 100nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 190 @ 2A, 2V
Potenza - Max: 2.1 W
Frequenza - Transizione: 60MHz
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 3-PowerUDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 3-HUSON (2x2)