PMEG2010BELD,315 NXP Semiconductors Diodi singoli

Produttore: NXP Semiconductors
Serie: -
Pacchetto: Bulk
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: Schottky
Tensione - CC inversa (Vr) (Max): 20 V
Corrente - Media Rettificata (Io): 1A
Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Velocità: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 1.6 ns
Corrente - Dispersione inversa @ Vr: 200 µA @ 20 V
Capacità @ Vr, F: 40pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: SOD-882
Pacchetto dispositivo fornitore: DFN1006-2
Temperatura di esercizio - Giunzione: 150°C (Max)