MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistor RF bipolari

Produttore: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Pacchetto: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Stato del prodotto: Active
Tipo di transistor: NPN
Tensione - Guasto Collettore-Emettitore (Max): 5.3V
Frequenza - Transizione: 12.5GHz
Figura di rumore (dB tipo @ f): 1.45dB @ 1GHz
Guadagno: 11.8dB
Potenza - Max: 800mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) a Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V
Corrente - Collettore (Ic) (Max): 100mA
Temperatura di esercizio: 150°C (TJ)
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore: S-Mini
Numero di prodotto di base: MT3S113