G5S6504Z Global Power Technology-GPT Diodi singoli

Produttore: Global Power Technology-GPT
Serie: -
Pacchetto: Cut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Stato del prodotto: Active
Tecnologia: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tensione - CC inversa (Vr) (Max): 650 V
Corrente - Media Rettificata (Io): 15.45A
Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 4 A
Velocità: No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr): 0 ns
Corrente - Dispersione inversa @ Vr: 50 µA @ 650 V
Capacità @ Vr, F: 181pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio: Surface Mount
Confezione / Custodia: 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore: 8-DFN (4.9x5.75)
Temperatura di esercizio - Giunzione: -55°C ~ 175°C